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DALC112S1

DALC112S1,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:8@Air Gap/6@Contact Disc kV; 最大工作电压:18 V; 最大漏电流:2 uA; 电容值:7(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:ESD Suppressor Diode Arrays 8KV 8-Pin SO N Tube
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:SO-8 N
  • 描述:ESD静电抑制器,二极管阵列,参数:ESD Suppressor Diode Arrays 8KV
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:Diode Arrays
Pin Count:8
Direction Type:Uni-Directional
Number of Elements per Chip:6
ESD Protection Voltage:8@Air Gap/6@Contact Disc kV
Maximum Working Voltage:18 V
Maximum Leakage Current:2 uA
Capacitance Value:7(Typ) pF
Minimum Operating Temperature:-55 ℃
Maximum Operating Temperature:150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:ESD Suppressor Diode Arrays 8KV 8-Pin SO N Tube
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:SO-8 N
  • 描述:ESD静电抑制器,二极管阵列,参数:ESD Suppressor Diode Arrays 8KV
  • DataSheet:数据手册 pdf

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