2N6507G
2N6507G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:250 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.8@50A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; ...
2N6504G
2N6504G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:50 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:250 A; 重复峰值正向阻断电压:50 V; 峰值通态电压:1.8@50A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大...
TISP7038L1DR-S
TISP7038L1DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:28 V; 最大保持电流:30(Min) mA; 浪涌电流额定值:9 A; 重复峰值正向阻断电压:28 V; 重复峰值断态电流:0.004 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式...
VS-ST330C12L0
VS-ST330C12L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.9@1730A V; 重...
BT138-800,127
BT138-800,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.65@15A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发...
ACTT8B-800C0TJ
ACTT8B-800C0TJ,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 最大保持电流:35 mA; 额定平均通态电流:8 A; 峰值通态电压:1.5 V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1 V; 最大门极触发电流:30 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃...
MAC997B8RL1G
MAC997B8RL1G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:8 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.9@0.85A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:2....
T1635-800G-TR
T1635-800G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:168 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@22.5A V; 重复峰值断态电流:...
C122F1G
C122F1G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:50 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:90 A; 重复峰值正向阻断电压:50 V; 峰值通态电压:1.83@16A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最...
VS-ST330C08C0
VS-ST330C08C0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:720 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V; 重复...
ACST1635-8FP
ACST1635-8FP,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FPAB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:147 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.5@22.6A V; 重复峰值断态...
BCR8CM-12LB#BB0
BCR8CM-12LB#BB0,可控硅整流器,品牌:Renesas,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 浪涌电流额定值:80 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@12A V; 重复峰值断态电流:2 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大...
VS-111MT160KPBF
VS-111MT160KPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-6,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:1180 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.57...
BTB08-600BWRG
BTB08-600BWRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@11A V; 重复峰值断态电流:...
Z0103NA 1AA2
Z0103NA 1AA2,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:7 mA; 浪涌电流额定值:8.5 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@1.4A V; 重复峰值断态电流:0.00...
BTA2008-600E,412
BTA2008-600E,412,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:12 mA; 浪涌电流额定值:9.9 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@0.85A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电...
BTW69-1200RG
BTW69-1200RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TOP Insulated-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:32 A; 浪涌电流额定值:610 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:...
VS-ST1200C12K1
VS-ST1200C12K1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1650 A; 浪涌电流额定值:32000 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.73@4000A...
2N6505TG
2N6505TG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:250 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:1.8@50A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA;...
VS-VSKT250-14PBF
VS-VSKT250-14PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-7,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:500 mA; 额定平均通态电流:250 A; 浪涌电流额定值:8900 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1....