TISP4310T3BJR-S
TISP4310T3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:269 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:269 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度...
TPDV825RG
TPDV825RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TOP-3,参数:类型:Alternistor; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:50(Typ) mA; 浪涌电流额定值:390 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8@35A V; 重复峰值断态电...
BTW69-1200N
BTW69-1200N,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TOP-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:100 mA; 额定平均通态电流:31 A; 浪涌电流额定值:763 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.6@100A V;...
VS-ST083S12PFK0P
VS-ST083S12PFK0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:85 A; 浪涌电流额定值:2560 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.15@300A V; 重复...
BTA25-800BW
BTA25-800BW,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:RD-91-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:75 mA; 浪涌电流额定值:260 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@35A V; 重复峰值断态电流:0.00...
TISP61089SDR-S
TISP61089SDR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门...
BTA12-600CRG
BTA12-600CRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@17A V; ...
BTA06-800TWRG
BTA06-800TWRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Insulated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:63 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.55@8.5A V...
VS-ST1000C20K0
VS-ST1000C20K0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1473 A; 浪涌电流额定值:21200 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.8@3000A ...
BTA10-400CRG
BTA10-400CRG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.5@14A V; 重...
BTA310X-600C,127
BTA310X-600C,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:93 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@12A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发...
TISP5110H3BJR-S
TISP5110H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:80 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:80 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to...
T405-600B
T405-600B,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:31 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.56@5.5A V; 重复峰值断态电流:0.005 m...
VS-16TTS12STRLPBF
VS-16TTS12STRLPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D2PAK-3,参数:重复峰值反向电压:1200 V; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:200 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 工作温度:-40 to 125...
VS-ST110S12P0VPBF
VS-ST110S12P0VPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; ...
VS-ST103S08PFL1P
VS-ST103S08PFL1P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:3150 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.73@300A V; 重复峰...
TB0900L-13-F
TB0900L-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:75 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:15 A; 重复峰值正向阻断电压:75 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to ...
VS-ST1200C18K0P
VS-ST1200C18K0P,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1650 A; 浪涌电流额定值:32000 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.73@4000...
TIC108M-S
TIC108M-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 额定平均通态电流:3.2 A; 浪涌电流额定值:20 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.7@5A V; 重复峰值断态电流:0.4 mA...
VS-ST103S08PFN2
VS-ST103S08PFN2,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:3150 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.73@300A V; 重复峰值...