T410-800T
T410-800T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:15 mA; 浪涌电流额定值:31 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.56@5.5A V; 重复峰值断态电流:0.0...
TN1625-600G-TR
TN1625-600G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:199 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@32A V...
52MT140KB
52MT140KB,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-6,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:55 A; 浪涌电流额定值:410 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:2.68@150A V;...
TDB6HK360N16P
TDB6HK360N16P,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:Module-20,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:220 mA; 浪涌电流额定值:3000 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 重复峰值断态电流:10(Typ) mA; 最大栅极触发电压...
SMP100LC-160
SMP100LC-160,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-214AA-2,参数:类型:DIAC; 重复峰值反向电压:160 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:24 A; 重复峰值正向阻断电压:160 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:...
VS-ST333C08LFL1
VS-ST333C08LFL1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:620 A; 浪涌电流额定值:11500 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.96@1810A V;...
VS-180RKI40
VS-180RKI40,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:180 A; 浪涌电流额定值:4000 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.35@570A V; 重复峰值断态电流...
TPA62
TPA62,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DO-15-2,参数:类型:DIAC; 重复峰值反向电压:62 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:16 A; 重复峰值正向阻断电压:62 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-55 to 150 ℃...
VS-ST303S12PFK1
VS-ST303S12PFK1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:300 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; ...
Z0103MARLRPG
Z0103MARLRPG,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:7 mA; 浪涌电流额定值:8 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.56@1.4A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1....
VS-VSKH162/04PBF
VS-VSKH162/04PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:160 A; 浪涌电流额定值:5100 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.54 ...
BCR1AM-12A#C01
BCR1AM-12A#C01,可控硅整流器,品牌:Renesas,封装:TO-92-3,参数:类型:TRIAC; 额定平均通态电流:1 A; 浪涌电流额定值:10 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@1.5A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电...
TB3500M-13-F
TB3500M-13-F,可控硅整流器,品牌:Diodes,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:320 V; 最大保持电流:800 mA; 浪涌电流额定值:30 A; 重复峰值正向阻断电压:320 V; 峰值通态电压:3.5@1A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 t...
T1210T-8T
T1210T-8T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:15 mA; 额定平均通态电流:12@Tc=131C A; 浪涌电流额定值:95 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1....
VS-ST230S12P0VPBF
VS-ST230S12P0VPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:230 A; 浪涌电流额定值:5970 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.55@720A V; ...
T1635-600G-TR
T1635-600G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:35 mA; 浪涌电流额定值:168 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.55@22.5A V; 重复峰值断态电流:...
BT236X-600F,127
BT236X-600F,127,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:TO-220F-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:20 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发...
VS-ST110S08P1VPBF
VS-ST110S08P1VPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复...
TISP4080M3LMFR-S
TISP4080M3LMFR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:DO-92-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:65 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:32 A; 重复峰值正向阻断电压:65 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40...
TISP61521DR-S
TISP61521DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:175 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:15 A; 重复峰值正向阻断电压:175 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发...