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MJD45H11T4

MJD45H11T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 最大集电极基极电压:80 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:20000 mW; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:DPAK-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 80V 8A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:80 V
Maximum DC Collector Current:8 A
Minimum DC Current Gain:60@2A@1V|40@4A@1V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:1@0.4A@8A V
Maximum Collector Base Voltage:80 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:20000 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:DPAK-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 80V 8A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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