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ZTX849

ZTX849,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|100@5A@1V|30@20A@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.05@20mA@0.5A|0.1@20mA@1A|0.2@20mA@2A|0.22@200mA@5A V; 最大集电极基极电压:80 V; 工作温度:-55 to 200 ℃; 最大功率耗散:1200 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT NPN 30V 5A 3-Pin E-Line
  • 品牌:Diodes
  • 封装:E-Line-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 30V 5A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:30 V
Maximum DC Collector Current:5 A
Minimum DC Current Gain:100@10mA@1V|100@1A@1V|100@5A@1V|30@20A@1V
Maximum Operating Frequency:100(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.05@20mA@0.5A|0.1@20mA@1A|0.2@20mA@2A|0.22@200mA@5A V
Maximum Collector Base Voltage:80 V
Operating Temperature:-55 to 200 ℃
Maximum Power Dissipation:1200 mW
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT NPN 30V 5A 3-Pin E-Line
  • 品牌:Diodes
  • 封装:E-Line-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 30V 5A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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