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2SD882

2SD882,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@2V|80@1A@2V|30@3A@2V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A|0.7@100mA@2A|1.1@150mA@3A V; 最大集电极基极电压:60 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:12500 mW; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:SOT-32-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 30V 3A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:30 V
Maximum DC Collector Current:3 A
Minimum DC Current Gain:100@100mA@2V|80@1A@2V|30@3A@2V
Maximum Operating Frequency:100(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.4@50mA@1A|0.7@100mA@2A|1.1@150mA@3A V
Maximum Collector Base Voltage:60 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:12500 mW
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:SOT-32-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 30V 3A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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