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2N3767

2N3767,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-66-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@5V|40@500mA@5V|20@1A@10V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@0.1A@1A|1@0.05A@0.5A V; 最大集电极基极电压:100 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 最大功率耗散:25000 mW; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:TO-66-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 80V 4A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:80 V
Maximum DC Collector Current:4 A
Minimum DC Current Gain:30@50mA@5V|40@500mA@5V|20@1A@10V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:2.5@0.1A@1A|1@0.05A@0.5A V
Maximum Collector Base Voltage:100 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Maximum Power Dissipation:25000 mW
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT NPN 80V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66
  • 品牌:Microsemi
  • 封装:TO-66-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 80V 4A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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