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2N3019

2N3019,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V|15@1A@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:140 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 最大功率耗散:800 mW; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 Bag
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-39-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 80V 1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:80 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Minimum DC Current Gain:50@0.1mA@10V|90@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V|15@1A@10V
Maximum Operating Frequency:100(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.2@15mA@150mA|0.5@50mA@500mA V
Maximum Collector Base Voltage:140 V
Operating Temperature:-65 to 175 ℃
Maximum Power Dissipation:800 mW
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 Bag
  • 品牌:STMicroelectronics
  • 封装:TO-39-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 80V 1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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