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2DB1132Q-13

2DB1132Q-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:190(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1000 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
  • 品牌:Diodes
  • 封装:SOT-89-4
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 32V 1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:4
Maximum Collector Emitter Voltage:32 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Minimum DC Current Gain:120@100mA@3V
Maximum Operating Frequency:190(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.5@50mA@500mA V
Maximum Collector Base Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:1000 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT PNP 32V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
  • 品牌:Diodes
  • 封装:SOT-89-4
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 32V 1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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