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MBT35200MT1G

MBT35200MT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@1A@1.5V|100@1.5A@1.5V|100@2A@3V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@0.008A@0.8A|0.2@0.012A@1.2A|0.31@0.02A@2A V; 最大集电极基极电压:55 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:1000 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
  • 品牌:ON
  • 封装:TSOP-6
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 35V 2A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:6
Maximum Collector Emitter Voltage:35 V
Maximum DC Collector Current:2 A
Minimum DC Current Gain:100@1A@1.5V|100@1.5A@1.5V|100@2A@3V
Maximum Operating Frequency:100(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.15@0.008A@0.8A|0.2@0.012A@1.2A|0.31@0.02A@2A V
Maximum Collector Base Voltage:55 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:1000 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
  • 品牌:ON
  • 封装:TSOP-6
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 35V 2A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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