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NSS40301MDR2G

NSS40301MDR2G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|180@1A@2V|180@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.011@0.01A@0.1A|0.06@0.1A@1A|0.115@0.01A@1A|0.115@0.2A@2A V; 最大集电极基极电压:40 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:783 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT NPN 40V 3A 8-Pin SOIC N T/R
  • 品牌:ON
  • 封装:SOIC-8 N
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 40V 3A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:NPN
Pin Count:8
Maximum Collector Emitter Voltage:40 V
Maximum DC Collector Current:3 A
Minimum DC Current Gain:200@10mA@2V|200@500mA@2V|180@1A@2V|180@2A@2V
Maximum Operating Frequency:100(Min) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.011@0.01A@0.1A|0.06@0.1A@1A|0.115@0.01A@1A|0.115@0.2A@2A V
Maximum Collector Base Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:783 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT NPN 40V 3A 8-Pin SOIC N T/R
  • 品牌:ON
  • 封装:SOIC-8 N
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT NPN 40V 3A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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