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PBSS4032SP,115

PBSS4032SP,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SO-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:4.8 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V|200@1A@2V|150@2A@2V|60@4A@2V|40@5A@2V; 最大工作频率:115(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.165@50mA@1A|0.24@10mA@1A|0.3@40mA@2A|0.39@400mA@4A|0.45@200mA@4A|0.51@250mA@5A V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:2300 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
  • 品牌:NXP
  • 封装:SO-8
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 30V 4.8A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:8
Maximum Collector Emitter Voltage:30 V
Maximum DC Collector Current:4.8 A
Minimum DC Current Gain:200@500mA@2V|200@1A@2V|150@2A@2V|60@4A@2V|40@5A@2V
Maximum Operating Frequency:115(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.165@50mA@1A|0.24@10mA@1A|0.3@40mA@2A|0.39@400mA@4A|0.45@200mA@4A|0.51@250mA@5A V
Maximum Collector Base Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:2300 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT PNP 30V 4.8A 8-Pin SO T/R
  • 品牌:NXP
  • 封装:SO-8
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 30V 4.8A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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