• 登录
社交账号登录

PBSS5130T,215

PBSS5130T,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@100mA@2V|260@500mA@2V|210@1A@2V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@1mA@100mA|0.225@50mA@1A V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:480 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
  • 品牌:NXP
  • 封装:TO-236AB-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 30V 1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Type:PNP
Pin Count:3
Maximum Collector Emitter Voltage:30 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Minimum DC Current Gain:300@100mA@2V|260@500mA@2V|210@1A@2V
Maximum Operating Frequency:200(Typ) MHz
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:0.1@1mA@100mA|0.225@50mA@1A V
Maximum Collector Base Voltage:30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Maximum Power Dissipation:480 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
  • Description:Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-236AB T/R
  • 品牌:NXP
  • 封装:TO-236AB-3
  • 描述:功率晶体管,参数:Trans GP BJT PNP 30V 1A
  • DataSheet:数据手册 pdf

产品推荐