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IRF5305

IRF5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:P-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:TO-220AB
  • 描述:P沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
  • Qg(Typ): 42.0nC
  • Rth(JC): 1.4K/W
  • Power Dissipation@TC 25C: 110W
  • Id@TC 25C: -31A
  • Description:P-channel Power MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:TO-220AB
  • 描述:P沟道功率MOS管

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