注册账号 | 忘记密码
IRLML5103,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=600.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=1000.0mOhms,Qg Typ=3.4nC,Rth(JC)=230 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ATF16V8B-15PU单片机,高性能,可编程逻辑器件由A...
24C04B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用...
74AHC86PW先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
SN74LS05DR六路反向器由TI原厂生产,采用SO-14...
29LV010A-12TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
74LVC245APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
74HC14D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
AT24C08B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
SN74LVC04APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...