• 登录
社交账号登录

IRLMS5703

IRLMS5703,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=400.0mOhms,Qg Typ=7.2nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:TSOP-6 (Micro 6)
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

电气特性 Features

  • P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
  • RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
  • Qg(Typ): 7.2nC
  • Rth(JC): 75 (JA)K/W
  • 品牌:IR
  • 封装:TSOP-6 (Micro 6)
  • 描述:P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET

产品推荐