IRF1104L,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AT89C4051-12PU单片机,低功耗高性能的CMOS ...
ATTINY26L-8SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生...
74HC237D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
24C16C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
25160AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
AT24C16C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
SN74HCT574PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
24C08B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用...
74HC273D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...