• 登录
社交账号登录
热搜型号 2025 2024 2026 7 2018
在线支持：手机端在线支持  在线支持

首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > N沟道场效应管
IRF1010ES
IRF1010ES

IRF1010ES

IRF1010ES,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.0mOhms,Id=83A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description：N-channel Power MOSFET
  • 品牌：IR
  • 封装：D2-Pak
  • 描述：N沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 83A
  • Description：N-channel Power MOSFET
  • 品牌：IR
  • 封装：D2-Pak
  • 描述：N沟道功率MOS管

产品推荐

AT29C010A-90JI

29C010A-90JI存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...

SN74LVC07APWR

SN74LVC07APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...

MC14050BDR2G

MC14050BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...

74HC1G08GW

74HC1G08GW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...

74LVC1G04GW

74LVC1G04GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...

AT45DB081D-SU

45DB081D-SU存储器,8M闪存存储器由ATMEL原厂...

74HC245PW

74HC245PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...

AT24C128C-SSHM-T

AT24C128C-SSHM-T存储器,存储芯片由ATMEL...

SN74LVC14ADR

SN74LVC14ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...