IRF6631,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
25DF321A-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
AT24C1024BN-SH25-T存储器,存储芯片由ATM...
24C08B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
74HCT74PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
SN74HCT04DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
74LVC16244ADGG低功耗CMOS逻辑IC由NXP原...
CD4051BPWR CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...
ATF16V8B-15PU单片机,高性能,可编程逻辑器件由A...
SN74HCT273NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...