注册账号 | 忘记密码
IRF6618,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74HC4094PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74AHC245D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
29LV020-20TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
74LVC1G126GV低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生...
SN74LVC07ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
74HCT574D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
SN74AHC08DR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
SN74LS245NSR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
74HC126D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...