注册账号 | 忘记密码
IRF6618,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MT封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74LVC245APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
74LVC541APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74LVC74ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
AT89C51ED2-RLTUM单片机,低功耗高性能的CMO...
AT25128AN-10SI27存储器,存储芯片由ATMEL...
74HCT4538D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
25256AW-10SU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原...
AT89C52-24PI单片机,低功耗高性能的CMOS 8位...
SN74LS14DR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-...