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首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > N沟道场效应管
IRF6727M
IRF6727M

IRF6727M

IRF6727M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.7mOhms,Id=180A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description：N-channel Power MOSFET with Schottky
  • 品牌：IR
  • 封装：DirectFET MX
  • 描述：集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 180A
  • Description：N-channel Power MOSFET with Schottky
  • 品牌：IR
  • 封装：DirectFET MX
  • 描述：集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管

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