注册账号 | 忘记密码
CL31C182GBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.8 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
74VHC27MX超高速CMOS逻辑IC由FAIRCHILD...
AT25640AN-10SU27存储器,存储芯片由ATMEL...
MC74HC164ADR2G高速CMOS逻辑IC由ON原厂生...
MC14175BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
74F32SCX逻辑IC由FSC原厂生产,采用SOIC封装,...
24C64CN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
SN74AHC02PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生...
74AHC138D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
SN74HC126DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...