注册账号 | 忘记密码
CL31C200JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值20 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HCT245NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
45DB081D-SU存储器,8M闪存存储器由ATMEL原厂...
74LVTH162244MEX低功耗CMOS逻辑IC由FSC...
SN74LVC573APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂...
89C51CC010UA-RLTUM单片机,微控制器由ATM...
74HC151D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74HCT32PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
ATF16V8B-15JU单片机,高性能,可编程逻辑器件由A...
28C256-15PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...