注册账号 | 忘记密码
CL31C200JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值20 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
74HC590D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74LVT125D低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74HCT86PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
74HC32PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用T...
74LVC125AD低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
74HC107D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
SN74LVC1G32DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI原...
AT89S51-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位...
AT28C256-15PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...