注册账号 | 忘记密码
CL31C222JBCNNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
74LVC1G66GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74LVC1G125DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI...
SN74HC08DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
AT24C1024B-PU25存储器,存储芯片由ATMEL原...
74LVC32APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
SN74AHC132PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂...
SN74HC04PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
SN74HC27DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
ATMEGA64A-AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...