CL02C1R4BO2GNNC
CL02C1R4BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.4 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：High-Q Capacitors_C0G,1.4 pF,16 Vdc,0.4 x 0.2mm (01005),+/-0.1 pF
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：01005(0.4 x 0.2mm)
- 描述：高Q值C0G电容,1.4 pF,16 Vdc,0.4 x 0.2mm (01005),+/-0.1 pF
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
- 型号：CL02C1R4BO2GNNC
- 类别：高Q值电容(High-Q)
- 容值：1.4 pF
- 额定电压：16 Vdc
- 材质(温度特性)：C0G (-55 ~ +125 ℃)
- 尺寸_长x宽 /毫米(英寸)：0.4 x 0.2mm (01005)
- 厚度(毫米)：0.2 mm
- 精度误差：+/-0.1 pF
- Description：High-Q Capacitors_C0G,1.4 pF,16 Vdc,0.4 x 0.2mm (01005),+/-0.1 pF
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：01005(0.4 x 0.2mm)
- 描述：高Q值C0G电容,1.4 pF,16 Vdc,0.4 x 0.2mm (01005),+/-0.1 pF
- DataSheet：数据手册 pdf
