注册账号 | 忘记密码
CL10C201JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值200 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74AHC02PWR先进高速CMOS逻辑IC由TI原厂生...
74HC244PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
AT25040B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
ATMEGA8535L-8AU单片机,微控制器由ATMEL原...
74AHC273PW先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74LVC74APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...
25640B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生...
MC14050BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
CD74HCT573M96高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...