注册账号 | 忘记密码
CL21C511JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值510 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
74AHC1GU04GW先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂...
SN74HCT574NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
25256B-SHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
MC14053BDTR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON...
SN74LV00ADR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO...
SN74HC27DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
SN74HC595PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
SN74HCT374PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
MC14020BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...