注册账号 | 忘记密码
CL10C331JB8NNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
74HC08D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
74AHC245D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
74HC05D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO...
SN74AHC1G14DBVR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
AT24C128BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原...
27C512R-70JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产...
ATF1508AS-10JU84单片机,高性能,可编程逻辑器...
SN74HCT273PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
AT24C512BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原...