CL31C470GHFNNNE
CL31C470GHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：High Voltage Capacitors_C0G,47 pF,630 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),+/-2 %
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：1206(3.2 x 1.6mm)
- 描述：高压C0G电容,47 pF,630 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),+/-2 %
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
- 型号：CL31C470GHFNNNE
- 类别：高压电容(High Voltage)
- 容值：47 pF
- 额定电压：630 Vdc
- 材质(温度特性)：C0G (-55 ~ +125 ℃)
- 尺寸_长x宽 /毫米(英寸)：3.2 x 1.6mm (1206)
- 厚度(毫米)：1.25 mm
- 精度误差：+/-2 %
- Description：High Voltage Capacitors_C0G,47 pF,630 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),+/-2 %
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：1206(3.2 x 1.6mm)
- 描述：高压C0G电容,47 pF,630 Vdc,3.2 x 1.6mm (1206),+/-2 %
- DataSheet：数据手册 pdf
