注册账号 | 忘记密码
CL21C562JBFNNNE,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.6 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
AT93C46D-PU存储器,存储芯片,3线串行EEPROM...
74HC138D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
45DB321D-TU存储器,32M闪存存储器由ATMEL原...
74LVC4245APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生...
AT89S8253-24AU单片机,低功耗高性能的CMOS ...
74HCT32D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
74LVC32APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,...
ATMEGA644PA-AU单片机,微控制器由ATMEL原厂...
SN74HC595DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...