注册账号 | 忘记密码
CL10C221KB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74AHC1G04DBVR先进高速CMOS逻辑IC由TI...
74HCT00PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
ATMEGA8535-16AU单片机,微控制器由ATMEL原...
93C56A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EEPR...
AT93C46DN-SH-T存储器,存储芯片,3线串行EEP...
SN74LVC1G07DBVR低功耗CMOS逻辑IC由TI原...
24C04B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
29C020-70JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
74HCT08PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...