注册账号 | 忘记密码
CL31C103GAFNNNE,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 nF,电压25 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74HCT374PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产...
MC14071BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
74HC125PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用...
SN74LVC245APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂...
SN74HC86DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
74LVC138APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
AT27C512R-70JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
74HC4052PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74LVC1G126GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生...