CL03C1R2BA3GNND
CL03C1R2BA3GNND,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：High-Q Capacitors_C0G,1.2 pF,25 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),+/-0.1 pF
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：0201(0.6 x 0.3mm)
- 描述：高Q值C0G电容,1.2 pF,25 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),+/-0.1 pF
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
- 型号：CL03C1R2BA3GNND
- 类别：高Q值电容(High-Q)
- 容值：1.2 pF
- 额定电压：25 Vdc
- 材质(温度特性)：C0G (-55 ~ +125 ℃)
- 尺寸_长x宽 /毫米(英寸)：0.6 x 0.3mm (0201)
- 厚度(毫米)：0.3 mm
- 精度误差：+/-0.1 pF
- Description：High-Q Capacitors_C0G,1.2 pF,25 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),+/-0.1 pF
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：0201(0.6 x 0.3mm)
- 描述：高Q值C0G电容,1.2 pF,25 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),+/-0.1 pF
- DataSheet：数据手册 pdf
