CL03C100JB3GNNC
CL03C100JB3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压50 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：High-Q Capacitors_C0G,10 pF,50 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),± 5 %
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：0201(0.6 x 0.3mm)
- 描述：高Q值C0G电容,10 pF,50 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),± 5 %
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
- 型号：CL03C100JB3GNNC
- 类别：高Q值电容(High-Q)
- 容值：10 pF
- 额定电压：50 Vdc
- 材质(温度特性)：C0G (-55 ~ +125 ℃)
- 尺寸_长x宽 /毫米(英寸)：0.6 x 0.3mm (0201)
- 厚度(毫米)：0.3 mm
- 精度误差：± 5 %
- Description：High-Q Capacitors_C0G,10 pF,50 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),± 5 %
- 品牌：三星(SAMSUNG)
- 封装：0201(0.6 x 0.3mm)
- 描述：高Q值C0G电容,10 pF,50 Vdc,0.6 x 0.3mm (0201),± 5 %
- DataSheet：数据手册 pdf
