IRG8CH29K10F
IRG8CH29K10F,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=1.70V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- 品牌：IR
- 封装：Die(裸片)
- 描述：低导通压降(Vceon)IGBT模块
- Description：Low-Vceon
