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首页 > 产品展示 > 场效应管(MosFET) > IGBT管-IGBT模块
IRGB4630D
IRGB4630D

IRGB4630D

IRGB4630D,低导通压降(Vceon)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=30A,Vce(ON)@25C typ=1.65V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description：Low-Vceon
  • 品牌：IR
  • 封装：TO-220AB
  • 描述：低导通压降(Vceon)IGBT模块

电气特性 Features

  • 低导通压降(Vceon)IGBT模块
  • Vces: 600V
  • Ic@100℃: 30A
  • Vce(ON)@25℃(typ): 1.65V
  • Description：Low-Vceon
  • 品牌：IR
  • 封装：TO-220AB
  • 描述：低导通压降(Vceon)IGBT模块

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