FS225R12OE4PBOSA1
FS225R12OE4PBOSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:350 A; 最大栅极发射极电压:20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562
- Description：Trans IGBT Module N-CH 1200V 350A
- 品牌：Infineon
- 封装：Module
- 描述：IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 1200V 350A
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
| Configuration: | Hex |
| Channel Type: | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage: | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current: | 350 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | ±20 V |
| Mounting: | Screw |
| Operating Temperature: | -40 to 150 ℃ |
| Rad Hard: | No |
- Description：Trans IGBT Module N-CH 1200V 350A
- 品牌：Infineon
- 封装：Module
- 描述：IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 1200V 350A
- DataSheet：数据手册 pdf
