FD1000R33HE3KBPSA1
FD1000R33HE3KBPSA1,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:3300 V; 最大连续集电极电流:1000 A; 最大栅极发射极电压:20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562
- Description：Trans IGBT Module N-CH 3300V 1000A
- 品牌：Infineon
- 封装：Module
- 描述：IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 3300V 1000A
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
| Configuration: | Dual |
| Channel Type: | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage: | 3300 V |
| Maximum Continuous Collector Current: | 1000 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | ±20 V |
| Mounting: | Screw |
| Operating Temperature: | -40 to 150 ℃ |
| Rad Hard: | No |
- Description：Trans IGBT Module N-CH 3300V 1000A
- 品牌：Infineon
- 封装：Module
- 描述：IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 3300V 1000A
- DataSheet：数据手册 pdf
