DDB6U75N16W1R
DDB6U75N16W1R,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-11,参数:配置:Single; 通道类型:N; 引脚数目:11; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:69 A; 最大栅极发射极电压:20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
- Description：Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 69A 11-Pin
- 品牌：Infineon
- 封装：Module-11
- 描述：IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 69A
- DataSheet：数据手册 pdf
电气特性 Features
| Configuration: | Single |
| Channel Type: | N |
| Pin Count: | 11 |
| Maximum Collector Emitter Voltage: | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current: | 69 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | ±20 V |
| Mounting: | Through Hole |
| Rad Hard: | No |
- Description：Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 69A 11-Pin
- 品牌：Infineon
- 封装：Module-11
- 描述：IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 69A
- DataSheet：数据手册 pdf
