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IKD04N60RATMA1

IKD04N60RATMA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:8 A; 最大栅极发射极电压:20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-40 to 175 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562

  • Description:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin TO-252 T/R
  • 品牌:Infineon
  • 封装:TO-252-3
  • 描述:IGBT管,绝缘栅双极型晶体管单管,参数:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A
  • DataSheet:数据手册 pdf

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Collector Emitter Voltage:600 V
Maximum Continuous Collector Current:8 A
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
Mounting:Surface Mount
Operating Temperature:-40 to 175 ℃
Rad Hard:No
  • Description:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin TO-252 T/R
  • 品牌:Infineon
  • 封装:TO-252-3
  • 描述:IGBT管,绝缘栅双极型晶体管单管,参数:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A
  • DataSheet:数据手册 pdf

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