注册账号 | 忘记密码
2SB1167,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=280,Vce(sat)=0.5V,fr=130MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
74LVC244APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74LVC02APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...
74AHC04D先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采...
74HC390D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用S...
CD4042BDR CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生...
AT45DB081D-SU单片机,8M闪存存储器由ATMEL...
SN74HC573NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
AT25160AN-10SU27存储器,存储芯片由ATMEL...
AT93C86A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EE...