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IRF7389

IRF7389,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOhms,Qg Typ N-ch=22.0nC,Qg Typ P-ch=23.0nC,Qgd Typ N-ch=6.4nC,Qgd Typ P-ch=5.9nC,Rth(JA)=50C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:1N-1P-channel MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:1N-1P双沟道MOS管

电气特性 Features

  • 1N-1P双沟道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ
  • RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ
  • RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ
  • RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
  • Qg Typ N-ch: 22.0nC
  • Qg Typ P-ch: 23.0nC
  • Qgd Typ N-ch: 6.4nC
  • Qgd Typ P-ch: 5.9nC
  • Rth(JA): 50℃/W
  • Description:1N-1P-channel MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:1N-1P双沟道MOS管

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