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IRF8513

IRF8513,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=16.9mOhms,Rth(JA)=62.5 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Dual N-channel MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:双N沟道MOS管

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 16.9mΩ
  • Rth(JA): 62.5 (Q2)℃/W
  • Description:Dual N-channel MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:SO-8
  • 描述:双N沟道MOS管

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