注册账号 | 忘记密码
IRL6372,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=17.9mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
24C32C-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,...
AT89LS52-16AU单片机,低功耗高性能的CMOS 8...
AT27C256R-70JU存储器,存储芯片由ATMEL原厂...
SN74HC574NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,...
24C16AN-10SU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原...
89C55WD-24AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产...
74LVC1G08GV低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74HC138DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采...
SN74LVC74APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...