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IRFHM792

IRFHM792,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=100V,VGs Max=20V,Rth(JA)=55C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 3.3 x 3.3 E
  • 描述:双N沟道MOS管
  • Description:Dual N-channel MOSFET

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs(Max): 20V
  • Rth(JA): 55℃/W
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 3.3 x 3.3 E
  • 描述:双N沟道MOS管
  • Description:Dual N-channel MOSFET

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