IRFHM8363
IRFHM8363,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3 E封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=20.4mOhms,Rth(JA)=47C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- 品牌：IR
- 封装：PQFN 3.3 x 3.3 E
- 描述：双N沟道MOS管
- Description：Dual N-channel MOSFET
