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IRFH4251D

IRFH4251D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=1.1mOhms,Rth(JA)=35 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • Description:Dual N w Schottky-channel MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 5 x 6 H
  • 描述:双N沟道带肖特基的MOS管

电气特性 Features

  • 双N沟道带肖特基的MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs(Max): 20V
  • RDS(on) Max@4.5V: 1.1mΩ
  • Rth(JA): 35 (Q2)℃/W
  • Description:Dual N w Schottky-channel MOSFET
  • 品牌:IR
  • 封装:PQFN 5 x 6 H
  • 描述:双N沟道带肖特基的MOS管

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