IRF3575D
IRF3575D,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.35mOhms,Rth(JA)=19.1C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：Dual N-channel MOSFET
- 品牌：IR
- 封装：PQFN 6 x 6
- 描述：双N沟道MOS管
