TIP115G
TIP115G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基极...
PZTA28
PZTA28,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:10000@100mA@5V|10000@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@0....
BDW94B
BDW94B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:12 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@3V|750@5A@3V|100@10A@3V; 最大集电极发射极饱...
MJD112T4
MJD112T4,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@...
TIP120
TIP120,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=5000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCV28E6327
BCV28E6327,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:4000@0.01mA@1V|10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|400...
ULN2001D1013TR
ULN2001D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250...
ULN2803ANE4
ULN2803ANE4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...
BDX53CG
BDX53CG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极基极电压:100 V; 安...
BST52
BST52,贴片达林顿晶体管,由NXP原厂生产,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=500mA,BVcbo=90V,BVceo=80V,hfe(Min)=2000,Vce(sat)=1.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BST52,115
BST52,115,三极管,达林顿管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:1000@150mA@10V|2000@500mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1.3@0.5mA@5...
ZTX601BSTZ
ZTX601BSTZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:160 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:5000@50mA@10V|10000@500mA@10V|5000@1A@10V; 最大集电极发射...
MJH6284G
MJH6284G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:100@20A@3V|750@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@40mA@10A|3@200mA@...
ULN2803APG(O,N,HZA)
ULN2803APG(O,N,HZA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|...
ULN2803AFW(M)
ULN2803AFW(M),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@...
MJD112
MJD112,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
FMMT734TA
FMMT734TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:20000@100mA@5V|15000@1A@5V|5000@2A@5V; 最大集电极发射极饱和...
ULN2803ADWRG4
ULN2803ADWRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6...
ULN2003AID
ULN2003AID,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount...
ULN2003AINSR
ULN2003AINSR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Moun...