TIP111TU
TIP111TU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V;...
2SD2142
2SD2142,贴片达林顿晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=300mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=12V,hfe(Min)=5000,Vce(sat)=1.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2075B
ULN2075B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
MJH11021G
MJH11021G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:250 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V|400@10A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@100mA@10A|4@15...
TIP112
TIP112,达林顿晶体管,由ST原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=2.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBTA14-7-F
MMBTA14-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@1...
MJH6287G
MJH6287G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:100@20A@3V|750@10A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@40mA@10A|3@200mA@...
BD679AS
BD679AS,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:80...
MMBTA28
MMBTA28,贴片达林顿晶体管,由ON原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=12V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1.2V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP142
TIP142,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V|500@10A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10m...
ULN2065B
ULN2065B,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:Power PDIP-16,参数:配置:Quad; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1.75 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@625uA@500mA|1.2@935uA@750mA|1...
2SD1223(TE16L1,NQ)
2SD1223(TE16L1,NQ),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V|1000@3A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@6mA@3A V; 最大集电极基极电...
ESM2012DV
ESM2012DV,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:150 V; 峰值DC直流集电极电流:120 A; 最小DC直流电流增益:1200(Typ)@100A@5V; 最大集电极...
ULN2804AFWG(C,ELHA)
ULN2804AFWG(C,ELHA),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOL-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压...
ULN2004ADRG4
ULN2004ADRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
FCX705TA
FCX705TA,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:3000@10mA@5V|3000@100mA@5V|3000@1A@5V|2000@2A@5V; 最大...
TIP122G
TIP122G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@...
MJE802G
MJE802G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4...
SN75468NSR
SN75468NSR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
BD680AG
BD680AG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.8@40mA@2A V; 最大集电极基极电压:80 V; 安装方...